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Technische Details DMG1013T-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMG1013T-7 nach Preis ab 0.038 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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DMG1013T-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R |
auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -6A Drain current: -330mA Power dissipation: 0.27W On-state resistance: 0.7Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape |
auf Bestellung 6159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V |
auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523 |
auf Bestellung 1520579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 93049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 93049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013T-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4630+ | 0.038 EUR |
| DMG1013T-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3938+ | 0.044 EUR |
| DMG1013T-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3985+ | 0.044 EUR |
| DMG1013T-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.099 EUR |
| 6000+ | 0.088 EUR |
| 9000+ | 0.083 EUR |
| 15000+ | 0.077 EUR |
| 21000+ | 0.074 EUR |
| DMG1013T-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 6159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 295+ | 0.29 EUR |
| 472+ | 0.18 EUR |
| 685+ | 0.12 EUR |
| 799+ | 0.11 EUR |
| 1112+ | 0.076 EUR |
| 1247+ | 0.068 EUR |
| 3000+ | 0.057 EUR |
| 6000+ | 0.052 EUR |
| DMG1013T-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
auf Bestellung 28800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 0.48 EUR |
| 72+ | 0.3 EUR |
| 115+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| DMG1013T-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523
auf Bestellung 1520579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.49 EUR |
| 12+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.086 EUR |
| DMG1013T-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 93049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 516+ | 0.49 EUR |
| 1395+ | 0.17 EUR |
| 1812+ | 0.12 EUR |
| 1880+ | 0.11 EUR |
| 1913+ | 0.11 EUR |
| DMG1013T-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 93049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 516+ | 0.49 EUR |
| 1395+ | 0.17 EUR |
| 1812+ | 0.12 EUR |
| 1880+ | 0.11 EUR |
| 1913+ | 0.11 EUR |






