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DMG1013T-7

DMG1013T-7 Diodes Zetex

ds31784.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
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Technische Details DMG1013T-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31784.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31784.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31784.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31784.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
313+0.23 EUR
463+0.15 EUR
589+0.12 EUR
997+0.072 EUR
1171+0.061 EUR
1544+0.046 EUR
1629+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31784.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
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997+0.072 EUR
1171+0.061 EUR
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31784.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
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59+0.3 EUR
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500+0.083 EUR
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Mindestbestellmenge: 59
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31784-3214982.pdf MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523
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1000+0.084 EUR
3000+0.051 EUR
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS21799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31784.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS21799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 97695 Stücke:
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DMG1013T-7 DMG1013T-7 Hersteller : Diodes Inc 490ds31784.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH