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DMG1013UW-7

DMG1013UW-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details DMG1013UW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 820mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DMG1013UW-7 DMG1013UW-7 DIODES/ZETEX TDMG1013UW-7_Diodes_DIODES_0001.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
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DMG1013UW-7 DMG1013UW-7 Diodes Incorporated ds31861.pdf MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
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DMG1013UW-7 DMG1013UW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005424728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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614+0.38 EUR
1072+0.2 EUR
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DMG1013UW-7 DMG1013UW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005424728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 820mA
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
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3000+0.11 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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