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DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13 Diodes Zetex


dmg1013uwq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details DMG1013UWQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1013UWQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1013UWQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1013UWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012930346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012930346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg1013uwq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmg1013uwq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG1013UWQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 622.4pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG1013UWQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 622.4pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
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