DMG1016V-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMG1016V-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3, Anzahl der Pins: 6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-563, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 530, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, Verlustleistung, p-Kanal: 530, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3, Dauer-Drainstrom Id: 870, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 530, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DMG1016V-7 nach Preis ab 0.077 EUR bis 1.12 EUR
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Verfügbarkeit |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
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DMG1016V-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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DMG1016V-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2674 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 |
auf Bestellung 323551 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
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DMG1016V-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds: 20 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 Verlustleistung, p-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3 Dauer-Drainstrom Id: 870 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 530 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1016V-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3 Verlustleistung, p-Kanal: 530 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DMG1016V-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |