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DMG2301U-7

DMG2301U-7 Diodes Zetex

164ds31848.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMG2301U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Zetex 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Incorporated DMG2301U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
auf Bestellung 183000 Stücke:
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DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Zetex 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Incorporated DMG2301U.pdf MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
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DMG2301U-7 DMG2301U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMG2301U-7 DMG2301U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Incorporated DMG2301U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
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DMG2301U-7
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG2301U-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
auf Bestellung 14631 Stücke:
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DMG2301U-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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DMG2301U-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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1397+0.15 EUR
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DMG2301U-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Supplier Device Package: SOT-23-3
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AnzahlPrivatkunde
25+0.83 EUR
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