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DMG2307L-7

DMG2307L-7 Diodes Zetex

dmg2307l.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.057 EUR
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Technische Details DMG2307L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.13 EUR
6000+0.075 EUR
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DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
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15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 674000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
75000+0.12 EUR
150000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED DMG2307L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.55 EUR
219+0.39 EUR
321+0.26 EUR
382+0.23 EUR
563+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.098 EUR
6000+0.084 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
auf Bestellung 674279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
40+0.54 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
auf Bestellung 49589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
521+0.44 EUR
730+0.3 EUR
848+0.25 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
521+0.44 EUR
730+0.3 EUR
848+0.25 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMG2307L-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.058 EUR
15000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.051 EUR
15000+0.049 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.052 EUR
15000+0.05 EUR
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DMG2307L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 674000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
75000+0.12 EUR
150000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG2307L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+0.55 EUR
219+0.39 EUR
321+0.26 EUR
382+0.23 EUR
563+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.098 EUR
6000+0.084 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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DMG2307L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
auf Bestellung 674279 Stücke:
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40+0.54 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMG2307L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
auf Bestellung 49589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 2814388.pdf
DMG2307L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+1 EUR
521+0.44 EUR
730+0.3 EUR
848+0.25 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 2814388.pdf
DMG2307L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4520 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
250+1 EUR
521+0.44 EUR
730+0.3 EUR
848+0.25 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH