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Technische Details DMG2307L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote DMG2307L-7 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMG2307L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG2307L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG2307L-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V |
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DMG2307L-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.134Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.76W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -2A Drain-source voltage: -30V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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DMG2307L-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.134Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.76W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -2A Drain-source voltage: -30V Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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DMG2307L-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K |
auf Bestellung 72318 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMG2307L-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V |
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DMG2307L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG2307L-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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DMG2307L-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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DMG2307L-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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