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DMG301NU-13

DMG301NU-13 Diodes Zetex

157dmg301nu.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMG301NU-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 320mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 320mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
auf Bestellung 360000 Stücke:
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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152+0.56 EUR
353+0.24 EUR
371+0.23 EUR
414+0.2 EUR
447+0.19 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
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300+0.57 EUR
444+0.38 EUR
583+0.29 EUR
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2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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303+0.57 EUR
437+0.39 EUR
462+0.36 EUR
599+0.27 EUR
1000+0.18 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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233+0.74 EUR
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444+0.36 EUR
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1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7001 Stücke:
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234+0.74 EUR
297+0.56 EUR
303+0.52 EUR
437+0.36 EUR
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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24+0.9 EUR
30+0.7 EUR
100+0.43 EUR
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
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10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 DIODES INC. DMG301NU.pdf Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 13321 Stücke:
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152+1.65 EUR
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 DIODES INC. DMG301NU.pdf Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 13321 Stücke:
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338+0.69 EUR
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
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DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2350 Stücke:
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DMG301NU-13 157dmg301nu.pdf
DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+0.57 EUR
444+0.38 EUR
583+0.29 EUR
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
303+0.57 EUR
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+0.74 EUR
300+0.56 EUR
444+0.36 EUR
583+0.26 EUR
1000+0.18 EUR
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
234+0.74 EUR
297+0.56 EUR
303+0.52 EUR
437+0.36 EUR
462+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 378782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.9 EUR
30+0.7 EUR
100+0.43 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
auf Bestellung 12718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.24 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 13321 Stücke:
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152+1.65 EUR
338+0.69 EUR
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5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
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152+1.65 EUR
338+0.69 EUR
387+0.56 EUR
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