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DMG301NU-13

DMG301NU-13 Diodes Zetex

157dmg301nu.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMG301NU-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 320mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.21 EUR
50000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 DIODES INC. 2814389.pdf Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+0.32 EUR
918+0.25 EUR
944+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 782 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 DIODES INC. DMG301NU.pdf Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
658+0.36 EUR
736+0.29 EUR
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.57 EUR
437+0.39 EUR
462+0.37 EUR
599+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.58 EUR
444+0.38 EUR
583+0.29 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
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6+0.62 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
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2500+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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297+0.57 EUR
303+0.54 EUR
437+0.36 EUR
462+0.32 EUR
599+0.24 EUR
1000+0.15 EUR
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Zetex 157dmg301nu.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.75 EUR
300+0.56 EUR
444+0.37 EUR
583+0.26 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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DMG301NU-13 DMG301NU-13 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 378782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
30+0.7 EUR
100+0.43 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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DMG301NU-13 157dmg301nu.pdf
DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
auf Bestellung 360000 Stücke:
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DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
782+0.32 EUR
918+0.25 EUR
944+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 782 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
582+0.43 EUR
658+0.36 EUR
736+0.29 EUR
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Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7001 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
303+0.57 EUR
437+0.39 EUR
462+0.37 EUR
599+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.58 EUR
444+0.38 EUR
583+0.29 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DMG301NU-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
auf Bestellung 18085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.62 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
234+0.74 EUR
297+0.57 EUR
303+0.54 EUR
437+0.36 EUR
462+0.32 EUR
599+0.24 EUR
1000+0.15 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+0.75 EUR
300+0.56 EUR
444+0.37 EUR
583+0.26 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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24+0.9 EUR
30+0.7 EUR
100+0.43 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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