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DMG3401LSN-7

DMG3401LSN-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
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Technische Details DMG3401LSN-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG3401LSN-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.041 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated DMG3401LSN.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
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DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated DMG3401LSN.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
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36+0.6 EUR
43+0.5 EUR
50+0.43 EUR
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated DMG3401LSN.pdf MOSFETs 30V P-CH MOSFET
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DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 DIODES INC. DMG3401LSN.pdf Description: DIODES INC. - DMG3401LSN-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.041 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 1489 Stücke:
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256+0.9 EUR
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DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 DIODES INC. DMG3401LSN.pdf Description: DIODES INC. - DMG3401LSN-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.041 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
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Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
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946+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
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Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
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MOSFETs 30V P-CH MOSFET
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3401LSN-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.041 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 1489 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
151+1.67 EUR
256+0.9 EUR
364+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3401LSN-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.041 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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256+0.9 EUR
364+0.6 EUR
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