DMG3415UQ-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMG3415UQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote DMG3415UQ-7 nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3123000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3125202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K |
auf Bestellung 12824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG3415UQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2056 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMG3415UQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |