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Technische Details DMG4413LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMG4413LSS-13 nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A Pulsed drain current: -45A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMG4413LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A Pulsed drain current: -45A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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