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DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13 Diodes Zetex

dmg4800lsd.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMG4800LSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.54 EUR
538+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.07 EUR
108+0.79 EUR
156+0.55 EUR
182+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
auf Bestellung 5572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 6070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
207+1.12 EUR
320+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INC. DMG4800LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
135+1.73 EUR
217+0.99 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.26 EUR
10000+0.21 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 112500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.26 EUR
10000+0.21 EUR
25000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 112500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.26 EUR
10000+0.21 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
10000+0.23 EUR
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.54 EUR
538+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+1.07 EUR
108+0.79 EUR
156+0.55 EUR
182+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
auf Bestellung 5572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.51 EUR
10+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD.pdf
DMG4800LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 6070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+1.71 EUR
207+1.12 EUR
320+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
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DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 594 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
97+2.59 EUR
135+1.73 EUR
217+0.99 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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