auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMG4822SSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMG4822SSD-13 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K |
auf Bestellung 10640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 8855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| DMG4822SSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |