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DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated


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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K
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Technische Details DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -25V, Drain current: -120mA, Power dissipation: 0.38W, Case: SOT363, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 13Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 340pC, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG6302UDW-7 DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated DMG6302UDW.pdf Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
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DMG6302UDW-7 DMG6302UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6302UDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 340pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
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Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.38W
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