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DMG6968U-7

DMG6968U-7 Diodes Zetex

dmg6968u.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMG6968U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg6968u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6968U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : Diodes Zetex dmg6968u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
368+0.19 EUR
468+0.15 EUR
705+0.10 EUR
736+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009547734_1-2543243.pdf MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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3000+0.15 EUR
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG6968U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009547734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009547734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMG6968U-7 DMG6968U-7 Hersteller : Diodes Inc ds31738.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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