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DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7 Diodes Zetex

ds31770.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
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Technische Details DMG9926UDM-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 980mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 980mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMG9926UDM-7
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31770.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31770.pdf MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31770.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMG9926UDM-7
Produktcode: 184264
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ds31770.pdf IC > IC Analog
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : Diodes Inc ds31770.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31770.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31770.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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