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DMG9926UDM-7

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Produktcode: 184264
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IC > IC Analog

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Zetex ds31770.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
784+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 784 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Zetex ds31770.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
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Mindestbestellmenge: 784 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Zetex ds31770.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated ds31770.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated ds31770.pdf MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated ds31770.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 41871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
784+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 784 Stücke
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DMG9926UDM-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
784+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 784 Stücke
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DMG9926UDM-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG9926UDM-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
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DMG9926UDM-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.43 EUR
10+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 41871 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
15+1.43 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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