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DMMT5551-7-F

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Produktcode: 203594
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 862 Stücke:
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224+0.32 EUR
327+0.22 EUR
388+0.18 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Bipolar Transistors - BJT MATCHED NPN
auf Bestellung 9369 Stücke:
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10+0.4 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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44+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2208 Stücke:
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 217800 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5000 St.:
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100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-07100KL /Yageo)
Produktcode: 85266
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100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-07100KL /Yageo)
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 19984 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Produktcode: 85265
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 61124 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 281041 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 15000 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLM21PG331SN1D
Produktcode: 43981
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ENFA0005_PDF_FERRITEBEADINDUCTORTYPEFILTER?lastModifiedDatetime=20260105172120
BLM21PG331SN1D
Drosseln > Filters SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH