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DMMT5551-7-F

DMMT5551-7-F Diodes Zetex

ds30436.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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Technische Details DMMT5551-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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6000+0.12 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.08 EUR
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 3000
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Bipolar Transistors - BJT MATCHED NPN
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
136+0.53 EUR
257+0.28 EUR
368+0.19 EUR
412+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 136
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 25
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 974 Stücke:
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 152 Stücke:
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Produktcode: 203594
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