Technische Details DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори.
Weitere Produktangebote DMN10H170SFGQ-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN10H170SFGQ-7 | Diodes |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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DMN10H170SFGQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN10H170SFGQ-7 |
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Hersteller: Diodes
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI 3333 T/R Транзистори
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| DMN10H170SFGQ-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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