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DMN2004VK-7B

DMN2004VK-7B Diodes Zetex

ds30865.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 112000 Stücke:
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Technische Details DMN2004VK-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B Diodes Incorporated ds30865.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+0.1 EUR
24000+0.099 EUR
40000+0.093 EUR
56000+0.089 EUR
80000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B Diodes Incorporated ds30865.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 125912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B Diodes Incorporated ds30865.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 8.0K
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B DIODES INC. 2917999.pdf Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
535+0.43 EUR
848+0.25 EUR
1151+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
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DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B DIODES INC. 2917999.pdf Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1310 Stücke:
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 120000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8000+0.11 EUR
16000+0.1 EUR
24000+0.099 EUR
40000+0.093 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-563
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 8.0K
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DMN2004VK-7B 2917999.pdf
DMN2004VK-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1310 Stücke:
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333+0.75 EUR
535+0.43 EUR
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1151+0.19 EUR
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DMN2004VK-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1310 Stücke:
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333+0.75 EUR
535+0.43 EUR
848+0.25 EUR
1151+0.19 EUR
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