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DMN2005UFG-7

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.36 EUR
4000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14123 Stücke:
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13+1.46 EUR
20+0.91 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
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DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
auf Bestellung 881 Stücke:
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10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.42 EUR
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DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Package / Case: 8-PowerVDFN
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DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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470 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-470KR – Hitano)
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470 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-470KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
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Hersteller: 470 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 19615 St.:
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47 kOhm 5% 3W (MFR300SSJTB-47K-Hitano)
Produktcode: 55394
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MFRSS_series_20140707.pdf
47 kOhm 5% 3W (MFR300SSJTB-47K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 47 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4mm, DAusfuhr.=0,8mm
Typ: Metall-folien miniatur
-55...+155°C
verfügbar: 1341 St.
  • 100 St. - stock Köln
  • 1241 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 St.
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    10+0.04 EUR
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    CM453232-100KL INDUCTOR CHIP 10UH 10% 1812 SMD (Induktivität)
    Produktcode: 44004
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    CM453232-100KL INDUCTOR CHIP 10UH 10% 1812 SMD (Induktivität)
    Hersteller: Bourns
    Drosseln > Induktivität SMD andere
    Nennwert: 10 µH
    Genauigkeit: ±10%
    Abmessungen und Größe: 1812
    Beschreibung und Eigenschaften: дротова, струм 250 mA, частота власних коливань 20 MHz.
    250 mA
    Produkt ist nicht verfügbar
    AnzahlPreis
    1+0.14 EUR
    10+0.11 EUR
    100+0.1 EUR
    1000+0.08 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    140 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-140K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
    Produktcode: 39572
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    140 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-140K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
    Hersteller: 140 kOhm
    Resistenz: ±1% F
    Präzision: 0,1
    P Nenn.,W: 50V
    U Betriebs.,V: 0603
    verfügbar: 16260 St.
    • 1200 St. - stock Köln
    • 15060 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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    1000+0.0009 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BZX384-C5V6
    Produktcode: 26551
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    		BZX384.pdf
    BZX384-C5V6
    Hersteller: NXP
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
    Gehäuse: SOD-323
    Ustab.,V: 5,6
    Istab.direkt,A: 5mA
    Pmax: 0,3
    Монтаж: SMD
    Температурний коефіцієнт: 1.2mV/K
    Produkt ist nicht verfügbar
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