Produkte > Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 > DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

DMN2005UFG.pdf
Produktcode: 201744
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote DMN2005UFG-7 nach Preis ab 0.11 EUR bis 2.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1104+0.15 EUR
1271+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
609+0.36 EUR
673+0.25 EUR
677+0.24 EUR
882+0.18 EUR
890+0.17 EUR
1104+0.13 EUR
1271+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Zetex dmn2005ufg.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.43 EUR
4000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 DIODES INC. DMN2005UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.08 EUR
322+0.73 EUR
412+0.52 EUR
530+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 DIODES INC. DMN2005UFG.pdf Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.08 EUR
322+0.73 EUR
412+0.52 EUR
530+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 dmn2005ufg.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1104+0.15 EUR
1271+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 dmn2005ufg.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
609+0.36 EUR
673+0.25 EUR
677+0.24 EUR
882+0.18 EUR
890+0.17 EUR
1104+0.13 EUR
1271+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 dmn2005ufg.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.43 EUR
4000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+1.08 EUR
322+0.73 EUR
412+0.52 EUR
530+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+1.08 EUR
322+0.73 EUR
412+0.52 EUR
530+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
DMN2005UFG-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

470 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-470KR – Hitano)
Produktcode: 123549
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
470 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-470KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 470 кОм
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 Вт
U Betrieb, V: 50 В
Bauform: 0603
auf Bestellung: 19215 St.
  • 19215 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.0039 EUR
1000+0.0031 EUR
10000+0.0018 EUR
Mindestbestellmenge: 100 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47 kOhm 5% 3W bedrahtet (MFR300SSJTB-47KR-Hitano)
Produktcode: 55394
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MFRSS_series_20140707.pdf
47 kOhm 5% 3W bedrahtet (MFR300SSJTB-47KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Nennwert: 47 kOhm
Toleranz und TKW: ±5%, ±250ppm
P Nenn., W: 3 W
U Betriebs., V: 500 V
Abmessungen: 11x4 mm; D Anschluss = 0.8 mm
Typ: Metallschicht, Miniatur
-55...+155°C
verfügbar: 100 St.
  • 100 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1231 St.
  • 1231 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.086 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uH 10% SMD 1812 (CM453232-100KL-Bourns)
Produktcode: 44004
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
10uH 10% SMD 1812 (CM453232-100KL-Bourns)
Hersteller: Bourns
Drosseln > Induktivität SMD andere
Nennwert: 10 мкГн
Genauigkeit: ±10%
Abmessungen und Baugröße: 1812
Beschreibung und Eigenschaften: drahtgewickelt, Strom 250 mA, Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Nennstrom: 250 мА
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
140 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-140KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39572
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC0603HIT.pdf
140 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-140KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 140 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 14860 St.
  • 14860 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.0033 EUR
1000+0.0031 EUR
10000+0.0018 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX384-C5V6
Produktcode: 26551
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BZX384.pdf
BZX384-C5V6
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-323
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,6 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,3 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 1,2 mV/K
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.067 EUR
100+0.063 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH