DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.05 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 0.77W, Case: U-DFN3030-8, Mounting: SMD, Kind of package: 7 inch reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Gate-source voltage: ±8V, Drain current: 4.1A, Gate charge: 16nC, On-state resistance: 30mΩ, Pulsed drain current: 30A, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DMN2016LFG-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2016LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
DMN2016LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| DMN2016LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.77W Case: U-DFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±8V Drain current: 4.1A Gate charge: 16nC On-state resistance: 30mΩ Pulsed drain current: 30A Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |