DMN2024UFU-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
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Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2975 Stücke:
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Technische Details DMN2024UFU-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 810mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2030, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 810mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMN2024UFU-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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DMN2024UFU-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm Verlustleistung, p-Kanal: 810mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 810mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 810mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN2024UFU-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.71W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN2024UFU-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.71W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |