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DMN2050L DIODES INC.



Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2050L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
217+1.15 EUR
309+0.75 EUR
437+0.49 EUR
530+0.4 EUR
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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Technische Details DMN2050L DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN2050L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMN2050L nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2050L DMN2050L DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMN2050L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
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195+1.29 EUR
295+0.79 EUR
447+0.48 EUR
622+0.35 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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DMN2050L
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN2050L
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Description: DIODES INC. - DMN2050L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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295+0.79 EUR
447+0.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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