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DMN2058U-7

DMN2058U-7 Diodes Zetex

dmn2058u.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN2058U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 740mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2058U-7 DMN2058U-7 Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Diodes Incorporated DMN2058U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 DIODES/ZETEX TDMN2058U-7_Diodes_DIODES_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2058U-13; DMN2058U-7 TDMN2058U-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.6 EUR
202+0.42 EUR
305+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 342 Stücke:
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Diodes Incorporated DMN2058U.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 8V-24V
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4+0.99 EUR
10+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Diodes Incorporated DMN2058U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
auf Bestellung 4466 Stücke:
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21+1 EUR
35+0.62 EUR
42+0.51 EUR
50+0.44 EUR
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011183505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
311+0.75 EUR
491+0.44 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011183505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
311+0.75 EUR
491+0.44 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2058U-7 dmn2058u.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.088 EUR
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DMN2058U-7 dmn2058u.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1588+0.11 EUR
2062+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1588 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN2058U-7 dmn2058u.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN2058U-7 dmn2058u.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN2058U-7 TDMN2058U-7_Diodes_DIODES_0001.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2058U-13; DMN2058U-7 TDMN2058U-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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DMN2058U-7 DMN2058U.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+0.6 EUR
202+0.42 EUR
305+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7 dmn2058u.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7 DMN2058U.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 8V-24V
auf Bestellung 5627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.99 EUR
10+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1 EUR
35+0.62 EUR
42+0.51 EUR
50+0.44 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7 DIOD-S-A0011183505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2058U-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
190+1.32 EUR
311+0.75 EUR
491+0.44 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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DMN2058U-7 DIOD-S-A0011183505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2058U-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
190+1.32 EUR
311+0.75 EUR
491+0.44 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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DMN2058U-7 dmn2058u.pdf
DMN2058U-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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