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DMN2058U-7

DMN2058U-7 Diodes Zetex

dmn2058u.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN2058U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2058U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
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839+0.17 EUR
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24000+0.08 EUR
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380+0.38 EUR
432+0.32 EUR
814+0.16 EUR
839+0.15 EUR
883+0.14 EUR
1130+0.10 EUR
3000+0.07 EUR
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2058U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011183505_1-2543669.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 8V-24V
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100+0.20 EUR
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3000+0.14 EUR
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011183505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011183505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMN2058U-7 DMN2058U-7 Hersteller : Diodes Inc dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2058U-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMN2058U.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2058U-13; DMN2058U-7 TDMN2058U-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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DMN2058U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf DMN2058U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
685+0.10 EUR
725+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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