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DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated

DMN2300UFL4.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
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Technische Details DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300UFL4.pdf MOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
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DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300UFL4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2300UFL4-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2300ufl4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFL4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2300UFL4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2300UFL4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2300UFL4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
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