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DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated

DMN2300UFL4.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
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21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
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Technische Details DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4.pdf MOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
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4+1.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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500+0.35 EUR
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DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0008513565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.31 EUR
252+0.93 EUR
506+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0008513565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2300UFL4-7 Diodes Zetex dmn2300ufl4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFL4-7 Diodes Zetex dmn2300ufl4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
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MOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
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DMN2300UFL4-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMN2300UFL4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
192+1.31 EUR
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1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
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DMN2300UFL4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
192+1.31 EUR
252+0.93 EUR
506+0.43 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
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