DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.39W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote DMN2300UFL4-7 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS |
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DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.39W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Gate charge: 3.2nC Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.19A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.39W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Gate charge: 3.2nC Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.19A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.39W Polarisation: unipolar |
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