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DMN2300UFL4Q-7

DMN2300UFL4Q-7 Diodes Incorporated

DMN2300UFL4Q.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1310-6 T&R 3K
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Technische Details DMN2300UFL4Q-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 530mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135.2pF @ 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1310-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135.2pF @ 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
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