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DMN2400UV-7

DMN2400UV-7 Diodes Zetex

ds31852.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details DMN2400UV-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2400UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 530mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 530mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED903724C934A18&compId=DMN2400UV.pdf?ci_sign=ec42dd1776e42962aca4f27ac9295cd69fb8cad1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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215+0.33 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31852.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 25
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DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2400UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2400UV-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31852.pdf 2 N-Channel , 20V, SOT-563
auf Bestellung 15 Stücke:
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DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31852.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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