DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 0.35W; X1-DFN1006-3, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.35W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Case: X1-DFN1006-3, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.18A, On-state resistance: 6Ω, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN26D0UFB4-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMN26D0UFB4-7 | Hersteller : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN26D0UFB4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 0.35W; X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Case: X1-DFN1006-3 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A On-state resistance: 6Ω Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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DMN26D0UFB4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN |
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DMN26D0UFB4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN |
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DMN26D0UFB4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 0.35W; X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Case: X1-DFN1006-3 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A On-state resistance: 6Ω |
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