DMN26D0UT-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 455+ | 0.55 EUR |
| 981+ | 0.24 EUR |
| 1806+ | 0.12 EUR |
| 1852+ | 0.12 EUR |
| 1905+ | 0.11 EUR |
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Technische Details DMN26D0UT-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN26D0UT-7 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN26D0UT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW |
auf Bestellung 38990 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
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DMN26D0UT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.3W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 2306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN26D0UT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.55 EUR |
| 981+ | 0.24 EUR |
| 1806+ | 0.12 EUR |
| 1852+ | 0.12 EUR |
| 1905+ | 0.11 EUR |
| DMN26D0UT-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
auf Bestellung 38990 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.63 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| DMN26D0UT-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.23A
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Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)