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Technische Details DMN3008SCP10-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote DMN3008SCP10-7 nach Preis ab 0.57 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| DMN3008SCP10-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R |
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| DMN3008SCP10-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R |
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| DMN3008SCP10-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R |
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| DMN3008SCP10-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3008SCP10-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN3008SCP10-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN3008SCP10-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V |
Produkt ist nicht verfügbar |