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DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated

DMN3008SFGQ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 258000 Stücke:
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Technische Details DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ-7 DIODES INC. DMN3008SFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
126+1.84 EUR
201+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ-7 DIODES INC. DMN3008SFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
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DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMN3008SFGQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 1170 Stücke:
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10+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMN3008SFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
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DMN3008SFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerDI3333
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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