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Technische Details DMN3016LDV-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 70A; 1.8W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 17A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 1.8W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN3016LDV-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMN3016LDV-7 | Hersteller : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI 3333 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN3016LDV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 70A; 1.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.8W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN3016LDV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN3016LDV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 70A; 1.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.8W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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