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DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated

DMN3016LFDE.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.19 EUR
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Technische Details DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMN3016LFDE-13 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDE.pdf MOSFETs N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
auf Bestellung 6930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.45 EUR
100+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 268632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
44+0.48 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-13 DIODES INC. DMN3016LFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
470+0.5 EUR
893+0.24 EUR
971+0.23 EUR
1026+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-13 DIODES INC. DMN3016LFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9970 Stücke:
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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350+0.71 EUR
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