DMN3020UFDF-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN3020UFDF-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W, Mounting: SMD, Case: U-DFN2020-6, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27nC, On-state resistance: 0.12Ω, Power dissipation: 1.3W, Drain current: 8.3A, Pulsed drain current: 40A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 30V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.
Weitere Produktangebote DMN3020UFDF-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DMN3020UFDF-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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| DMN3020UFDF-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.3W Drain current: 8.3A Pulsed drain current: 40A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
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