Technische Details DMN3020UFDF-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W, Mounting: SMD, Case: U-DFN2020-6, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 27nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 8.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.12Ω, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 1.3W.
Weitere Produktangebote DMN3020UFDF-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3020UFDF-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN3020UFDF-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.3W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN3020UFDF-13 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DMN3020UFDF-13 |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH