DMN3020UFDF-13 DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Technische Details DMN3020UFDF-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W, Power dissipation: 1.3W, Kind of package: reel; tape, Case: U-DFN2020-6, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8.3A, On-state resistance: 0.12Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 40A, Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN3020UFDF-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMN3020UFDF-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN3020UFDF-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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| DMN3020UFDF-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 40A |
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