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DMN3023L-7

DMN3023L-7 Diodes Zetex

103dmn3023l.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN3023L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3023L-7 DMN3023L-7 Diodes Incorporated DMN3023L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
auf Bestellung 144000 Stücke:
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3000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
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DMN3023L-7 DMN3023L-7 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8881 Stücke:
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120+0.71 EUR
146+0.58 EUR
173+0.49 EUR
233+0.37 EUR
300+0.29 EUR
371+0.23 EUR
516+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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DMN3023L-7 DMN3023L-7 Diodes Incorporated DMN3023L.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
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4+0.98 EUR
10+0.51 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
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DMN3023L-7 DMN3023L-7 Diodes Incorporated DMN3023L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
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18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
35+0.6 EUR
50+0.52 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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DMN3023L-7 DMN3023L-7 Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3023L-7 DIODES INC. 2814401.pdf Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8074 Stücke:
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198+1.26 EUR
360+0.64 EUR
579+0.37 EUR
715+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN3023L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
auf Bestellung 144000 Stücke:
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8881 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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146+0.58 EUR
173+0.49 EUR
233+0.37 EUR
300+0.29 EUR
371+0.23 EUR
516+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
auf Bestellung 74643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.98 EUR
10+0.51 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN3023L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
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AnzahlPrivatkunde
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
35+0.6 EUR
50+0.52 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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DMN3023L-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3023L-7 2814401.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8074 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
198+1.26 EUR
360+0.64 EUR
579+0.37 EUR
715+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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