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DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED

DMN3024SFG.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
180+0.40 EUR
295+0.24 EUR
311+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
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Technische Details DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8.5A, On-state resistance: 33mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 10.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±25V, Pulsed drain current: 60A, Case: PowerDI3333-8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN3024SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerDI3333-8
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DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3024SFG.pdf MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A
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DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3024SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
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