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DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13 Diodes Incorporated


DMN3025LFG.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
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Technische Details DMN3025LFG-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 60A, Drain current: 7.8A, Drain-source voltage: 30V, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 11.6nC, On-state resistance: 28mΩ, Kind of package: 13 inch reel; tape, Power dissipation: 1.3W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD.

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DMN3025LFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3025LFG-247329.pdf MOSFET 30V N-CH MOSFET
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DMN3025LFG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 7.8A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.6nC
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
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