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DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13 Diodes Incorporated

DMN3025LFV.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details DMN3025LFV-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3025LFV-13 DMN3025LFV-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645094_1-2542829.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.67 EUR
100+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN3025LFV-13 DMN3025LFV-13 DIODES INC. DMN3025LFV.pdf Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1 EUR
372+0.62 EUR
705+0.31 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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DMN3025LFV-13 DMN3025LFV-13 DIODES INC. DMN3025LFV.pdf Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1 EUR
372+0.62 EUR
705+0.31 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
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DMN3025LFV-13 DMN3025LFV-13 Diodes Incorporated DMN3025LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 20837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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DMN3025LFV-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.67 EUR
100+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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372+0.62 EUR
705+0.31 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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DMN3025LFV-13 DMN3025LFV.pdf
DMN3025LFV-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+1 EUR
372+0.62 EUR
705+0.31 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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DMN3025LFV-13
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Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 20837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
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