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DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated

DMN3027LFG.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Technische Details DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote DMN3027LFG-7 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.11 EUR

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DMN3027LFG-7 DMN3027LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3027LFG.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
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DMN3027LFG-7 DMN3027LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3027LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
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DMN3027LFG-7 DMN3027LFG-7 Hersteller : Diodes Zetex 2082996649008389dmn3027lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMN3027LFG-7 DMN3027LFG-7 Hersteller : Diodes Zetex 2082996649008389dmn3027lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMN3027LFG-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN3027LFG.pdf DMN3027LFG-7 SMD N channel transistors
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