DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.5 EUR |
| 6000+ | 0.48 EUR |
| 10000+ | 0.44 EUR |
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Technische Details DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.
Weitere Produktangebote DMN3027LFG-7 nach Preis ab 0.45 EUR bis 3.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A |
auf Bestellung 3972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 18854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3027LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3027LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3027LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
auf Bestellung 3972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.29 EUR |
| 10+ | 1.11 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2000+ | 0.45 EUR |
| DMN3027LFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.32 EUR |
| 19+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| DMN3027LFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 3.07 EUR |
| 136+ | 1.71 EUR |
| 206+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| DMN3027LFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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| 100+ | 3.07 EUR |
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| 1000+ | 0.74 EUR |