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DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated

DMN3035LWN.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
21000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: V-DFN3020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated DMN3035LWN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 80638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated DMN3035LWN.pdf MOSFETs N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
auf Bestellung 3245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 DIODES INC. DMN3035LWN.pdf Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.78 EUR
227+1.02 EUR
350+0.61 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 DIODES INC. DMN3035LWN.pdf Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.78 EUR
227+1.02 EUR
350+0.61 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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DMN3035LWN-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
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Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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DMN3035LWN-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
141+1.78 EUR
227+1.02 EUR
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