Technische Details DMN3042L-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 720mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Weitere Produktangebote DMN3042L-13 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN3042L-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3042L-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF |
auf Bestellung 47393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3042L-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 720mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3042L-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 720mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3042L-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN3042L-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10000+ | 0.13 EUR |
| DMN3042L-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
auf Bestellung 47393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.87 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| DMN3042L-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 259+ | 0.96 EUR |
| 415+ | 0.56 EUR |
| 646+ | 0.33 EUR |
| 885+ | 0.24 EUR |
| 1038+ | 0.2 EUR |
| DMN3042L-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: DIODES INC. - DMN3042L-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 259+ | 0.96 EUR |
| 415+ | 0.56 EUR |
| 646+ | 0.33 EUR |
| 885+ | 0.24 EUR |
| 1038+ | 0.2 EUR |
| DMN3042L-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)