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Technische Details DMN3042L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 720mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 720mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.
Weitere Produktangebote DMN3042L-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMN3042L-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3042L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3042L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3042L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V |
auf Bestellung 31374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3042L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A |
auf Bestellung 62063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3042L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 720mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 720mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3042L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 720mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3042L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 0.72W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3042L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1495+ | 0.12 EUR |
| DMN3042L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1495+ | 0.12 EUR |
| DMN3042L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.19 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 15000+ | 0.15 EUR |
| DMN3042L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
auf Bestellung 31374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.88 EUR |
| 39+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| DMN3042L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
auf Bestellung 62063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| DMN3042L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 720mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 720mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.07 EUR |
| 378+ | 0.62 EUR |
| 596+ | 0.36 EUR |
| DMN3042L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 720mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.07 EUR |
| 378+ | 0.62 EUR |
| 596+ | 0.36 EUR |
| DMN3042L-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 1.46 EUR |