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DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated

ds31523.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
15000+0.26 EUR
30000+0.25 EUR
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Technische Details DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3051LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.028 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMN3051LDM-7 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3051LDM-7 DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated ds31523.pdf MOSFET 30V 4A N-CHANNEL
auf Bestellung 3700 Stücke:
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5+0.8 EUR
10+0.68 EUR
100+0.51 EUR
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DMN3051LDM-7 DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated ds31523.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
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24+0.88 EUR
28+0.75 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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DMN3051LDM-7 DMN3051LDM-7 DIODES INC. ds31523.pdf Description: DIODES INC. - DMN3051LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.028 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
314+0.74 EUR
461+0.46 EUR
589+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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DMN3051LDM-7 DMN3051LDM-7 DIODES INC. ds31523.pdf Description: DIODES INC. - DMN3051LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.028 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+0.68 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
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DMN3051LDM-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3051LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.028 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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AnzahlPrivatkunde
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Description: DIODES INC. - DMN3051LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.028 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-26
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+1.19 EUR
314+0.74 EUR
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