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DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED


DMN3061LCA3.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Case: X4-DSN1006-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Technische Details DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W, Case: X4-DSN1006-3, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 0.16Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.88W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 7 inch reel; tape, Gate charge: 1.4nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 20A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN3061LCA3-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3061LCA3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006
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DMN3061LCA3-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3061LCA3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X4-DSN1006-3 T&R 10K
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DMN3061LCA3-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN3061LCA3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Case: X4-DSN1006-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
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