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Technische Details DMN3065LW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 770mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN3065LW-7 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.70 EUR
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 357000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 357000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Power dissipation: 0.77W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Power dissipation: 0.77W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC |
auf Bestellung 18894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 770mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN3065LW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 261000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |