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DMN3067LW-7

DMN3067LW.pdf
Produktcode: 184252
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 183000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1229248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
75000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INC. DMN3067LW.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.44 EUR
725+0.32 EUR
1011+0.21 EUR
1115+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INC. 2649031.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.49 EUR
654+0.36 EUR
893+0.24 EUR
1083+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.39 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1229248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
42+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 2.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT323
On-state resistance: 67mΩ
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3067LW-7 dmn3067lw.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 183000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3067LW-7 dmn3067lw.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1229248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
75000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3067LW-7 dmn3067lw.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3067LW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
565+0.44 EUR
725+0.32 EUR
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1115+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
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DMN3067LW-7 2649031.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
516+0.49 EUR
654+0.36 EUR
893+0.24 EUR
1083+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
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DMN3067LW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.74 EUR
10+0.39 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN3067LW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1229248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
42+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 2.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT323
On-state resistance: 67mΩ
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH