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Technische Details DMN3067LW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN3067LW-7 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.62 EUR
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DMN3067LW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Case: SOT323 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Case: SOT323 |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC |
auf Bestellung 14883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN3067LW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMN3067LW-7 Produktcode: 184252
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
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