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Technische Details DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN30H4D0L-7 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V |
auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN30H4D0L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN30H4D0L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 163650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN30H4D0L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 733+ | 0.24 EUR |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
| 9000+ | 0.33 EUR |
| 15000+ | 0.32 EUR |
| 21000+ | 0.31 EUR |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 172+ | 1.45 EUR |
| 209+ | 1.11 EUR |
| 335+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 172+ | 1.45 EUR |
| 209+ | 1.11 EUR |
| 335+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 163650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.62 EUR |
| 21+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| DMN30H4D0L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)