DMN3135LVTQ-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN3135LVTQ-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; Idm: 25A; 1.27W; TSOT26, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.27W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 9nC, Case: TSOT26, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.3A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN3135LVTQ-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| DMN3135LVTQ-7 | Hersteller : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R |
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DMN3135LVTQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; Idm: 25A; 1.27W; TSOT26 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC Case: TSOT26 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMN3135LVTQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN3135LVTQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; Idm: 25A; 1.27W; TSOT26 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC Case: TSOT26 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A |
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