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Technische Details DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 350mA; Idm: 0.8A; 320mW; SOT523, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.32W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.35nC, Case: SOT523, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 0.8A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.35A, Anzahl je Verpackung: 10 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN31D6UT-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMN31D6UT-7 | Hersteller : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN31D6UT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 350mA; Idm: 0.8A; 320mW; SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.32W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Case: SOT523 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.35A Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| DMN31D6UT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN31D6UT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 350mA; Idm: 0.8A; 320mW; SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.32W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Case: SOT523 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.35A |
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