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Technische Details DMN3200U-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN3200U-7 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 650mW 30Vdss |
auf Bestellung 3518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
auf Bestellung 501561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3200U-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3200U-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3200U-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMN3200U-7 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2605 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN3200U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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