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DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW.pdf
Produktcode: 131979
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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Diodes Zetex 49dmn32d4sdw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
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3000+0.093 EUR
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DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated DMN32D4SDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 152468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
75000+0.11 EUR
150000+0.11 EUR
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DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated DMN32D4SDW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
auf Bestellung 91177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated DMN32D4SDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 152468 Stücke:
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24+0.9 EUR
34+0.63 EUR
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500+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000570343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
334+0.69 EUR
814+0.26 EUR
1093+0.19 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000570343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
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224+1.12 EUR
334+0.69 EUR
814+0.26 EUR
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DMN32D4SDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN32D4SDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 152468 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
75000+0.11 EUR
150000+0.11 EUR
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DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW.pdf
DMN32D4SDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
auf Bestellung 91177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW.pdf
DMN32D4SDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 152468 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
24+0.9 EUR
34+0.63 EUR
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DMN32D4SDW-7 DIOD-S-A0000570343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN32D4SDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
224+1.12 EUR
334+0.69 EUR
814+0.26 EUR
1093+0.19 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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DMN32D4SDW-7 DIOD-S-A0000570343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN32D4SDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
224+1.12 EUR
334+0.69 EUR
814+0.26 EUR
1093+0.19 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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